| Interessante Links: |
|
|
 |
Ausbildungsstellenangebot
Ausbildung zum/zur Mikrotechnologe / Mikrotechnologin Halbleitertechnik, Mikrosystemtechnik
| Anzeige vom |
18.12.2007 |
 |
| Anzahl |
2 |
| Ausbildungsform |
Ausbildung im Rahmen der dualen Ausbildung |
| Ausbildungsberuf |
Mikrotechnologe / Mikrotechnologin Halbleitertechnik, Mikrosystemtechnik |
| Ausbildungsbeginn |
01.09.2008 |
| Ausbildungsdauer |
3 Jahre |
| Ausbildungsort |
13355 Berlin (Berlin) |
| Schulabschluss |
Realschulabschluss |
| Beschreibung |
Das Fraunhofer-Institut Zuverlässigkeit und Mikrointegration (IZM) Berlin bietet Ihnen ab 01.09.2008 zwei moderne Ausbildungsplätze im zukunftsorientierten High-Tech-Beruf als Mikrotechnologe/ Mikrotechnologin im Ausbildungsschwerpunkt Mikrosystemtechnik.
Bitte senden Sie Ihre schriftliche Bewerbung mit den üblichen Unterlagen (mindestens mit den zwei letzten Zeugnissen) per Post spätestens bis zum 29. Februar 2008 an:
Fraunhofer IZM
Stefan Ast
Gustav-Meyer-Allee 25
13355 Berlin
Aufgabenprofil: Im Mittelpunkt der dreijährigen Ausbildung stehen das Arbeiten in Reinräumen und Laboren sowie das Bedienen, Kontrollieren und Optimieren komplexer physikalisch-chemischer Verfahren und Prozesse in der Aufbau- und Verbindungstechnik. Ihre Ausbildung erfolgt im projektorientierten Forschungsbetrieb des Institutes sowie bei den Partnern des Berliner Ausbildungsverbundes.
Anforderungen: Wir erwarten von Ihnen Freude an Chemie und Physik, sowie gute Englischkenntnisse. Sie verfügen idealerweise über technisches Geschick, Verantwortungsbewusstsein, Konzentrationsvermögen und ein gutes Sehvermögen (auch mit Sehhilfe). Sie haben einen guten Realschulabschluss, sind Abgänger eines technischen Oberstufenzentrums oder haben das Abitur erfolgreich abgeschlossen. Der BEruf eignet sich auch sehr gut für Mädchen.
Zeitrahmen: Dreijährige Ausbildungszeit
Entlohnung: Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Manteltarifvertrag für Auszubildende. |
| Bewerbungsschluß |
01.09.2008 |
Ausbilder: Fraunhofer IZM
 |
|
|
